應用領域：

本裝置是磁控濺射鍍膜系統，該系統兼容直流和射頻濺射源，可濺射金屬、非金屬及化合物薄膜 ( 如：ITO) 等；廣泛應用于科研院所、實驗室制備單層或多層薄膜，以及新材料、新工藝研究。 本裝置系統結構緊湊，系統采用模塊化設計可擴展性高，在保證系統穩定性的前提下，進一步優化您的實驗室利用空間；適合擺放于工作臺面上。

基本配置：

◆真空腔室：Φ250 mm(ID) x 250 mm(H) 

◆真空系統：機械泵 + 分子泵兩級真空系統 前級泵：VRD-16 機械泵，抽速：4L/S ；主抽泵：分子泵，抽氣速率：300L/S 主抽閥：CC-100 超高真空手動插板閥， 可調節分子泵抽速，有利于穩定工藝氣壓。 

◆極限真空：<5×10-5Pa 

◆恢復真空：<6.7×10-4Pa(< 45 min) 

◆真空測量：“兩低一高” 數顯復合真空計 

◆濺 射 源：最多 2×2 英寸磁控靶 

◆濺射電源：直流 (500W ) 一臺（標配） 

◆進氣系統：一路 MFC 控制的工藝氣路（Ar） 

◆樣品臺：可容納樣品最大尺寸：3 英寸樣品托一個 , 配擋板，轉速 0-30rpm 連續可調 ; 樣品可加熱控溫， 溫度范圍：室溫 -300℃，控溫精度 ±0.5℃； 

◆系統控制：10 英寸觸摸屏 +PLC 控制

選擇配置：

◆樣品臺可水冷，采用直接式水冷形式，水冷不控溫 

◆全量程真空計（ Inficon） 

◆電容式隔膜真空計 ( 測量濺射工作壓力 ) 

◆射頻電源（RF）300W（可選） 

 系統要求標準配置： 

◆工藝氣體 :25psi，純度 99.99% 以上 

◆工藝氣體（Ar） ◆工作氣體 : 干燥壓縮空氣、氮氣 

◆電 源 : 單相 220V , 50Hz, 16A 

 ◆冷 凍 水 :18-25℃ , 1L/min，壓力 < 0.4MPa